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自从智能手机开端拼摄像头后，为让就喜爱与相机比较拍照作用，手机比方说早努比亚在前期喊出了“手机中的堪比单反机”标语，而现在则喜爱贴上相机品牌——徕卡、单反蔡司、传感哈苏，过尽来显现自己实力出众。为让但不管标语仍是手机贴牌，智能手机拍照行进本质上是堪比依托技能，其间CMOS图画传感器（CIS）更是单反起了要害作用，那在智能手机开展前史，传感CIS究竟做过哪些尽力？

更好成像：更大的过尽底、更多像素。为让

怎么有用进步手机成像质量呢？信任不少人都听过一句话——底大一级压死人——运用尺度更大的手机传感器（底）、进步更多像素，堪比而不管是苹果iPhone仍是Android手机在曩昔十多年时刻都按着这条途径行进。

比方说首款在中国市场畅销的苹果手机——iPhone 4，它后置摄像头运用了Omnivision OV5650传感器，标准为1/3.2英寸，也便是巨细为12mm²（4*3mm），分辨率为2592*1944（5MP）。而最新一代iPhone 14 Pro系列，后置摄像头主摄分辨率现已进步至48MP，几乎是iPhone 4的10倍，一起依据techinsights拆解，传感器的面积到达了63.2mm²（9.16*6.92mm），是iPhone 4的5倍多。

比较iPhone的小步快跑，安卓手机对传感器尺度、像素寻求更为激烈，从2021年夏普发布R6开端，安卓手机就盯上了1英寸传感器，在2022年里呈现了小米12S Ultra、小米13 Pro、vivo X90 Pro/Pro+、夏普AQUOS R7、LEITZ PHONE共6款运用1英寸CMOS图画传感器的手机，它们均运用索尼IMX989 Exmor RS CMOS传感器，像素为50MP，单个像素巨细为1.60 um。

但出乎我们幻想的是，首款搭载1英寸传感器并非夏普R6，而是2014年发布，也便是与iPhone 6同年的松下CM1。CM1是一台运用1080P 4.7英寸屏幕的智能手机，内部搭载了高通四核处理器，后置摄像头传感器源自相机，是一块1英寸、20MP传感器，搭载了一支等效全画幅28mm视角、最大光圈为F2.8的徕卡标定焦镜头，并且具有机械快门，在运用时镜头还会向前伸出。因为运用了超乎其时干流尺度的传感器，CM1机身厚度到达了21mm，分量也有204g，因而其时我们觉得它是一台装了装置体系与带通讯功用的相机。可是现在回看，信任我们会觉得这是一台正常手机，究竟小米12S Ultra在很多新技能加持下，分量也有225g，6.1英寸屏的iPhone 14 Pro也有206g。

在运用更大尺度传感器一起，智能手机也在改写像素纪录，在2019年三星推出了1/1.33英寸、1.08亿像素的ISOCELL Bright HMX传感器，到了2021年再一次改写像素新高，推出了两亿像素、1.22英寸的ISOCELL HP1，但限于成像质量与巨细，重视程度不如1英寸大底。

更好成像：更先进技能。

尽管底大一级压死人，可是大底负面要素也不少，一般来说底越大本钱越高，一起镜头尺度会跟着底变大而变大、本钱上涨，因而在CMOS图画传感器尺度一路变大的一起，不断运用新技能改进画质、功用。

下图是Chipworks收拾的历代iPhone主摄传感器技能演化路线图，尽管只掩盖2007年的iPhone到2013年的iPhone 5s，可是足以代表曩昔十多年手机CMOS图画传感器核心技能演化——用BSI替代FSI，取得更高量子功率，以进步高感体现以及削减低感下的噪点，在BSI根底上添加Stacked（仓库），进步传感器读取速度，完成高像素下高速输出。

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BSI是BackSide Illumination的简写，一般翻译为背照技能，在FSI年代，五颜六色滤镜Color Filter）与担任将光信号转化为电信号的光电二极管（Photodiodes）之间存在一层电路层（Wiring Layers），电路层不只遮挡了部分光线进入光电二极管，并且影响了读取速度——为了完成更高读取速度需求更为杂乱的电路层，可是当电路层添加后会进一步遮挡光线。

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而BSI技能便是把电路层放到光电二极管下面，不管电路层多大都不会影响进光，因而量子功率更高，到达90%，比FSI高出了10%（实践FSI量子功率远远无法完成80%，比方索尼FSI传感器大多介于50%至70%之间）。BSI制作难度更高，并且传感器会变薄，噪点也会添加，需求其它技能去战胜这些缺陷。

BSI CMOS传感器一开端在手机上运用就取得用户认可，iPhone 4主摄运用的Omnivision OV5650传感器正是根据BSI技能，加上交际媒体鼓起，智能手机敏捷打断了小DC的增长势头，并不断紧缩后者的生存空间，致使今日无人问津。

到了iPhone 5s上，苹果现已改用了索尼MX145传感器，这是加入了仓库技能的BSI CMOS传感器。所谓仓库技能便是把两块或以上不同芯片贴合起来，依照索尼在IEEE2013上的介绍，其时的仓库式BSI CMOS是由90nm的像素层以及65nm逻辑电路层组成，二者经过TSV（through-silicon vias，硅穿孔）技能衔接起来，因为模仿电路（像素层）、数字电路（逻辑电路）运用不同工艺，均能取得更佳的功用、能效体现，因而画质、功耗体现更好，并且经过叠加不同芯片能取得不同功用加成，比方叠加DRAM就能进步传感器读取，轻松完成4K升格视频输出。时至今日，仓库式BSI CMOS传感器仍然是高功用代表，索尼A1、尼康Z9、佳能EOS R3三款旗舰无反相机均运用了仓库式BSI CMOS传感器。

不过TSV存在一个缺陷，它至少要打穿一块芯片去完成衔接（所以得名硅穿孔），大大约束芯片尺度巨细、布局方法，后来索尼拿出了更为先进的CU-CU工艺去完成仓库。CU-CU便是在芯片外表设置铜触点，然后不同芯片直接经过铜触点衔接起来，方法有点像是把两片BGA封装芯片贴合在一起。CU-CU可以带来更多衔接通道、更灵敏衔接方法，进一步进步读取速度，或是完成更为杂乱的功用。

在新技能进步CMOS传感器读取一起，传感器还有不少技能改进，最要害一项进步对焦技能。比方说了iPhone 6运用的IMX145传感器加入了掩蔽式像素作为相位差对焦像素，三星Galaxy S7运用了全像素双核对焦技能，到了IMX689传感器，索尼在QuadBayer阵列根底进步化出2x2 OCL技能，完成了十字相位差对焦。

不过需求留意的是，三星在一亿、两亿像素上运用了九合一、十六合一技能并不能比四合一进步AF功用，运用九合一、十六合一技能是因为传感器单个像素太小，成像无法让人满足，一起为了削减ISP数据处理量，所以才做成多合一。

除了BSI、仓库这些大幅度进步传感器画质、功用技能外，这些年来手机传感器还运用不少“小”技能，比方说三星ISOCELL以及ISOCELL Plus，非拜尔阵列五颜六色滤镜。ISOCELL、ISOCELL Plus原理很简单，它是在光电二极管建筑一堵墙，遮挡应该进入A光电二极管的光线进入近邻的B光电二极管，其间ISOCELL Plus修的墙更高，到达了五颜六色滤镜层。

早在2014年，中兴推出了一款名为星星1号的手机，它主摄没有选用惯例的拜尔阵列（RGB），而是运用了Aptina的Clarity+ CMOS，这是一款运用RCCB阵列传感器，它用白色滤镜替代拜尔阵列的绿色滤镜，让更多光线进入传感器，依照官方说法它的信噪比比拜尔阵列高出3-4dB，高感更为超卓。不过为了处理RCCB信号，手机装备了独立ISP处理器。

在今日，已有不少手机选用非拜尔阵列的CMOS传感器，比方说华为Mate 50系列后置主摄就运用RYYB摆放，以进步进光量，可对错拜尔阵列难以校准颜色始终是一个问题，因而非拜尔阵列没有全职业遍及开来。

结语。

不难看出，在曩昔10年多时刻里，智能手机CMOS传感器凭借着更大底，BSI、Stacked等更先进的技能，不断在进步手机拍照作用，不过到了近几年技能尽管在更新，可是没有太大的腾跃，用大底变成进步CMOS传感器拍照作用成了最常用的手法，在未来几年手机拍照仍然会不断进步，可是可能会进入滞涨阶段——用更大更重传感器模块来改进拍照作用。

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